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2. 电容电压性测试仪原理CV法利用PN结或肖基势垒在反向偏压时的电容性,可以获得材料中杂质浓度及其分布的信息,这类测量成为C-V测量。这种测量可以提供材料横截面均匀性及纵向杂质浓度的分布信息。组成半导体器件的基本结构的PN结具有电容效应(势垒电容),加正向偏压时,
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电容电压性测试仪 型号:HAD-CV300
1.HAD-CV300引言
HAD-CV300型电容电压(C-V)性测试仪是测试频率为1MHz的数字式电容测试仪器。用于测量半导体器件PN结势垒在不同偏压下的电容量,也可测试其它电容。
仪器有较的分辨率,电容量是四位读数,可分辨到0.001pF,偏置电压分辨率为0.01V,漏电小分辨率为0.01μA或0.1μA(可选)。
该测试仪器性能稳定可靠,能齐,度,操作简单,适用于元件厂家,科研,等院校等单位。
2. 电容电压性测试仪原理
CV法利用PN结或肖基势垒在反向偏压时的电容性,可以获得材料中杂质浓度及其分布的信息,这类测量成为C-V测量。这种测量可以提供材料横截面均匀性及纵向杂质浓度的分布信息。
组成半导体器件的基本结构的PN结具有电容效应(势垒电容),加正向偏压时,PN结势垒区变窄,势垒电容变大;加反向偏压时,PN结势垒区变宽,势垒电容变小。
该仪器采用电电压测量方法,它用微处理器通过8 次电压测量来计算每次测量后要求的参数值。用个相敏检波器和模数转换器顺序快速成电压测量。正交测量通过交换测量信号的相位来行,而不是参考相位检测。因而不需要的模拟相位转换成电压矩形波电路。通过从同个频信号源形成测试信号和参考信号,来保证正确的相位关系。由微处理器根据已知的频率和测试信号相位,用ROM 存储器内的程序和所存储的按键选择来控制测量顺序,以及存储在RAM 中的校准数据来计算被测元件数值。
3. HAD-CV300参数
3.1. 测试信号频率:1.000MHz±0.01%
3.2. 测试信号电压:≤100mVrms
3.3. 测量速率:慢3次/秒,快5次/秒
3.4. 测量范围:
电容C:0.001-10000 pF
漏电:0.01-19.99μA
3.5. 直偏压:仪器自带偏压0.01-35V,分辨率:0.01V;(可外接偏压源拓展,大偏压输入为100V)
3.6. 作误差:±5.0%±2字
3.7. 预热时间:30min
3.8. 供电电源:
交电压:220V±10%,频率:50Hz±5%,消耗率:≤40W
3.9. 作环境
温度:0-40℃, 湿度:≤65%